IBM и её партнёры по разработке чипов сделали громкое заявление — им удалось
построить первую рабочую 22-нм SRAM-ячейку. Процессоры с техпроцессом 22 нм
появятся не ранее, чем через 3 года, но это известие говорит о том, что
производитель микросхем будет способен выйти на новый уровень к концу 2011 года.
Возможно, впервые за долгое время, Intel потребуется больше времени на
исследование и разработку для сохранения технологического лидерства в
техпроцессе 22 нм и менее.
SRAM-чип обычно становится первым полупроводниковым прибором для тестирования
нового производственного процесса. Устройство было разработано и произведено
AMD, Freescale, IBM, STMicroelectronics, Toshiba и Колледжем нанонаук и
инженерии (CNSE) в традиционном 6-транзисторном исполнении на 300-мм подложке и
имело ячейку памяти размером всего 0,1 мкм2, у процессора Intel с
техпроцессом 45 нм ее размер составляет 0,346 мкм2.
22-нм чип станет основой для двух поколений в будущем, что позволит AMD
догнать Intel с ее 45 нм. Intel представила первую 32-нм SRAM-ячейку в сентябре
прошлого года и не ожидается, что компания представит SRAM-ячейку с техпроцессом
22 нм в течение следующего года. IBM говорит, что усиленно работает над своей
32-нм технологией, и обещает применить "ведущую 32-нм технологию с металлическим
затвором и диэлектриком с высоким коэффициентом диэлектрической пропускаемости
(high-K metal gate), которую ни одна компания или консорциум не смогут
превзойти". Компания не представила дополнительной информации для обоснования
этого утверждения, однако Intel уже внедряет high-K metal gate начиная с конца
2007 года в 45-нм процессорах.
Пока рано ожидать появления процессоров с техпроцессами 32 нм и 22 нм, но
очевидно, что давление на Intel заметно возрастает. В будущем мы можем стать
свидетелями интересной борьбы. |
.
