По словам производителя, по сравнению с 50-нанометровой версией X25-M новые накопители характеризуются повышенным быстродействием. Задержки уменьшены на 25%, количество операций ввода-вывода в единицу времени в режиме произвольной записи достигает 6600 IOPS, в режиме чтения — 35000 IOPS.
Источник не преминул протестировать образец накопителя, в котором используется 34-нанометровая память, показанный на верхнем снимке.
Тест ATTO показывает увеличение примерно на 10% скорости записи по сравнению с X25-M первого поколения.
Тест HDTach RW показывает примерно такое же улучшение в скорости записи.
